中国工程院院士屠海令：国产化进程加速推进，半导体材料迎黄金窗口期

火币交易所 2025年10月23日 15:41 21 Connor

【大河财立方记者史冰倩文李博摄影】10月23日，2025半导体材料产业发展（郑州）大会暨中国电子材料行业协会半导体材料分会年会在郑州举办。中国工程院院士、北京有色金属研究总院名誉院长屠海令出席大会并发表致辞，回顾中国半导体材料产业发展历程，分析当前产业形势，为未来发展指明方向。

回望产业发展历程，屠海令指出，河南在其中写下浓墨重彩的一笔。1966年，我国首个从国外引进全套技术装备的单晶硅企业——洛阳单晶硅厂在洛阳诞生。当时，为响应国家号召、发展电子工业、捍卫国防安全，洛阳单晶硅厂的创业者们克服技术封锁、物资匮乏等困难，开启中国半导体硅材料产业化探索先河。

从1966年洛阳单晶硅厂多晶硅2.4吨、单晶硅1.4吨的设计年产能起步，到2005年洛阳中硅高科技公司年产300吨多晶硅项目打破国外技术垄断，再到如今规划建设的产业宏图，河南在不同历史阶段，均为中国半导体材料发展发挥关键作用，助力我国信息产业摆脱“无米之炊”困境。

值得一提的是，北京有色金属研究总院与洛阳单晶硅厂渊源深厚。在共和国有色金属工业初创时期，该院作为行业重要科研与技术支撑机构，与单晶硅厂等骨干企业在人才培养、技术攻关、工艺优化等方面开展广泛深入合作，共同见证彼此在产业发展中的成长与贡献，这份情谊成为双方共同的宝贵财富。

谈及当前产业形势，屠海令表示，全球半导体产业格局深刻变革，材料作为产业基石，战略地位日益凸显。

在他看来，当前，我国半导体材料产业迎来重要发展期。首先，市场前景广阔，SEMI预测2025年全球半导体材料市场规模将达700亿美元，并持续增长。中国大陆作为全球第二大市场，预计2025年关键电子材料规模将突破1700亿元，同比增长超过20%。其次，国产化进程正加速推进，大尺寸硅材料、砷化镓等领域国产替代迎来“黄金窗口期”，半导体级硅材料国产化率已超过50%，抛光液等材料的国产化率也已突破30%。AI算力、新能源汽车等终端需求，更是为上游材料企业创造了倍数级增长机遇。此外，行业创新活力迸发，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料正加速应用于新能源汽车、5G通信等领域，有效提升了器件性能与能效。

同时，屠海令也强调，产业发展仍面临挑战，12英寸大硅片、高端光刻胶等核心环节国产化率偏低，全球供应链存在不确定性，核心技术与人才竞争日趋激烈。

面向未来，屠海令提出四点发展方向：一是强化基础研究与前沿布局，既要提升硅基材料品质与成本竞争力，也要在超宽禁带半导体材料、二维材料等前沿方向提前部署；二是深化产业链协同创新，推动材料、设备、工艺紧密协同，构建开放包容的创新生态，鼓励上下游企业联合攻关；三是拥抱绿色与智能化趋势，推进材料生产绿色低碳转型，利用AI大数据加速材料研发与产业化；四是构建坚韧的产业人才链，完善全链条人才培养体系，激发人才创新活力。

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